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Aufgrund schwerer globaler Engpässe in der Versorgung haben die beiden führenden chinesischen Speicherchip-Hersteller Changxin Storage und Yangtze Memory Technologies das größte Erweiterungsprojekt in der Geschichte initiiert, um die Lücke zu internationalen Marktführern wie Samsung und SK Hynix zu schließen.

Als größter DRAM-Hersteller Chinas baut Changxin Storage in Shanghai eine neue Fabrik, deren zusätzliche Produktionskapazität zwei- bis dreimal so hoch sein wird wie die ihres Hauptsitzes in Hefei. Die Fabrik soll in der zweiten Hälfte des Jahres 2026 mit der Installation von Geräten beginnen und 2027 in den regulären Betrieb gehen. Die Produkte decken Bereiche wie Server, PCs und Automobilelektronik ab, während das Unternehmen auch die HBM-Produktionslinie in Shanghai erweitert, um den Bedarf an KI-Rechenleistung zu decken.

Laut informierten Quellen laufen die beiden Fabriken von Changxin Storage in Hefei und Peking bereits auf Hochtouren: „Die Nachfrage seitens der lokalen Unternehmen ist extrem hoch, und das Unternehmen möchte die Produktionskapazität so schnell wie möglich erhöhen.“

Der führende chinesische NAND-Hersteller Yangtze Memory Technologies baut ebenfalls eine dritte Fabrik in Wuhan, die 2027 in Betrieb genommen werden soll.

Es wurde berichtet, dass Yangtze Memory Technologies bereits einen klaren Plan für die Produktionskapazität der neuen Fabrik festgelegt hat; neben der NAND-Produktion werden 50 % der Kapazität für die DRAM-Herstellung verwendet. Gleichzeitig wird das Unternehmen mit lokalen Speicherverpackungsunternehmen zusammenarbeiten, um HBM für KI-Rechenanwendungen zu entwickeln und zu produzieren.