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Devido à grave escassez global de suprimentos, os dois principais fabricantes de chips de memória da China, Changxin Storage e Yangtze Memory Technologies, iniciaram o maior plano de expansão da história, tentando reduzir a diferença em relação a líderes internacionais como Samsung e SK Hynix.

Como o maior fabricante de DRAM da China, a Changxin Storage está construindo uma nova fábrica em Xangai, com uma capacidade adicional que será de duas a três vezes a de sua sede em Hefei. A fábrica está prevista para iniciar a instalação de equipamentos no segundo semestre de 2026, com produção oficial em 2027, abrangendo áreas como servidores, PCs e eletrônicos automotivos. Além disso, a empresa está ampliando a linha de produção de HBM em Xangai, visando a demanda por poder computacional em IA.

Fontes informadas afirmaram que as duas fábricas da Changxin Storage em Hefei e Pequim já estão operando em plena capacidade, "a demanda das empresas locais é extremamente alta, e a empresa espera expandir a capacidade o mais rápido possível."

A principal fabricante de NAND da China, Yangtze Memory Technologies, também está construindo uma terceira fábrica em Wuhan, com produção prevista para 2027.

Foi revelado que a Yangtze Memory Technologies já definiu o planejamento de capacidade da nova fábrica, além de produzir NAND, 50% da capacidade será destinada à fabricação de DRAM; ao mesmo tempo, a empresa colaborará com empresas locais de embalagem de memória para desenvolver e produzir HBM para cenários de computação em inteligência artificial.