BlockBeats 消息，7 月 5 日，美光科技（Micron）正全力推进全球产能扩张，以应对 AI 驱动的 HBM、DRAM 及 NAND 内存严重短缺。公司预计供给紧张局面将延续至 2026 年后，新产能从 2027 年起陆续释放，整体投资规模庞大。其中：

美国本土重仓布局

· 弗吉尼亚州 Manassas 工厂已于 2026 年 5 月实现 1α nm 制程量产，20 亿美元扩产项目将 DDR4 晶圆供货规模提升 4 倍，重点供应汽车、国防、工业等领域，获芯片法案补贴支持。

· 爱达荷州博伊西投资约 500 亿美元建设前沿工厂，已破土动工，首座工厂预计 2027 年中投产；公司近期进一步扩大美国投资至约 2000 亿美元（制造+研发），包括新增第二座 fab。

· 纽约州 Clay 千亿美元级 megafab 项目持续推进，计划多座晶圆厂，目标 2030 年前后大规模量产。

亚洲同步扩产

· 日本广岛 7 月初举行 1.5 万亿日元（约 93 亿美元）扩建奠基仪式，专注高端 HBM 等 AI 芯片，2028 年左右出货，日本政府提供高额补贴。

· 新加坡：1 月启动 240 亿美元 NAND 先进晶圆厂建设，2028 年下半年投产。

· 台湾：以 18 亿美元收购力积电铜锣晶圆厂，预计 2027 年投产 DRAM。

美光强调扩产主要为满足长期需求及供应链本土化，并非短期大幅增加消费级供给。分析认为，整体 DRAM/NAND 短缺格局短期难改，价格仍有支撑。此轮全球扩产预计将显著提升美光产能，并创造数万个就业岗位。公司目标到 2030 年前后在美国生产约 40% 的 DRAM。更多动态将随 AI 需求持续更新。