$NVDA SUPPLIER 三星 HBM4E 良率超70% 🚀
三星 HBM4E 可靠性測試良率已突破 70%，這是在被認爲“成熟良率”的 80% 閾值之前的關鍵里程碑。該研發進展正進入穩定區間，已有樣品發往客戶，面向明年預期的下一代 AI 加速器（如英偉達 Vera Rubin Ultra）。
宋在赫確認，D1d DRAM 工藝仍保持競爭優勢，目標是在 11 月前獲得量產審批。這將直接推動下一代存儲器 HBM5。如果良率繼續攀升，整個 AI 硬件供應鏈將進一步趨於緊密。
你認爲市場是否已經充分定價了這一輪存儲加速週期？
不構成投資建議。請務必管理好你的風險。
#NVDA #Semiconductors #AI #HBM4E #TechBreakthrough
🎯
三星 HBM4E 可靠性測試良率已突破 70%，這是在被認爲“成熟良率”的 80% 閾值之前的關鍵里程碑。該研發進展正進入穩定區間，已有樣品發往客戶，面向明年預期的下一代 AI 加速器（如英偉達 Vera Rubin Ultra）。
宋在赫確認，D1d DRAM 工藝仍保持競爭優勢，目標是在 11 月前獲得量產審批。這將直接推動下一代存儲器 HBM5。如果良率繼續攀升，整個 AI 硬件供應鏈將進一步趨於緊密。
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